Chế tạo dây nano trên đế Si bằng phương pháp hoá học đơn giản với thời gian chế tạo rất ngắn
Abstract
Để sản xuất dây nano Si có năng suất cao ở quy mô lớn với chi phí thấp, giải pháp hợp lí là dùng các kĩ thuật dựa trên dung dịch. Trong nghiên cứu này, kĩ thuật dựa trên dung dịch được dùng để chế tạo dây nano Si trực tiếp trên đế Si (100) trong thời gian rất ngắn với các bước thí nghiệm đơn giản, sử dụng bạc là chất xúc tác và tiến hành ở nhiệt độ phòng, áp suất khí quyển. Các kết quả thực nghiệm cho thấy, độ dài và độ hấp thụ của dây nano Si tăng theo thời gian nhúng trong dung dịch ăn mòn hoá học. Tuy nhiên, thời gian ăn mòn không làm ảnh hưởng đến chất lượng của các dây nano Si. Phương pháp hoá học đơn giản này cũng được thử nghiệm trên đế Ge (100) nhưng không thành công. Để chế tạo dây nano Ge cần dùng dung dịch ăn mòn hoá học khác hoặc thử nghiệm bằng phương pháp khác.
Moraref