Tính chất điện tử và quang học của đơn lớp AlTe
Abstract
Trong bài báo này, nhóm tác giả tiến hành khảo sát các tính chất điện tử và quang học của đơn lớp monochalcogenide nhóm III AlTe bằng cách sử dụng nguyên lý đầu (ab-initio) của lý thuyết phiếm hàm mật độ. Dựa trên việc phân tích phổ phonon, đơn lớp AlTe được khẳng định là có cấu trúc bền vững. Kết quả tính toán cho thấy, đơn lớp AlTe ở trạng thái cân bằng là bán dẫn có vùng cấm xiên với độ rộng vùng cấm là 1,91 eV. Hằng số điện môi tĩnh e1(0) của đơn lớp AlTe là 3,104, lớn hơn so với một số vật liệu có cấu trúc tương tự. Đơn lớp AlTe có khả năng hấp thụ mạnh ánh sáng trong miền tử ngoại gần và có cường độ hấp thụ cực đại là 78,76´104 cm–1 tương ứng năng lượng ánh sáng tới là 5,67 eV. Các kết quả tìm được không chỉ làm sáng tỏ thêm về các tính chất vật lí của đơn lớp AlTe mà còn mở ra triển vọng ứng dụng của nó trong các thiết bị quang - điện tử.
Moraref