Silicon Carbide (SiC) merupakan material keramik non-oksida yang memiliki tingkat kekerasan, titik leleh, dan konduktivitas termal yang tinggi. SiC dapat disintesis menggunakan prekursor silika (SiO2) dan karbon (C) dengan memanfaatkan SiO2 sebagai sumber silikon (Si). SiC telah disintesis dari sekam padimenggunakan prekursor SiO2 dan C dengan metode reduksi magnesiotermik. Sintesis SiC dilakukan dengan mencampurkan SiO2 dan C pada perbandingan rasio 1:3, kemudian diberi penambahan magnesium (Mg) dengan variasi massa dari 1,0 g, 1,5 g, dan 2,0 g. Selanjutnya, semua sampel dipanaskan dalam furnace pada temperatur 600 C selama 3 jam. Fase terbentuknya SiC diindikasikan dengan warna fisik pada setiap sampel yang berubah dari abu-abu menjadi putih kehijauan. Selanjutnya serbuk SiC dikarakterisasi menggunakan fourier transform infrared (FTIR) untuk mengetahui gugus fungsi dan X-Ray Diffractometer (XRD) untuk mengetahui derajat kristalinitas, sudut difraksi 2 , dan jarak antar kisi (d). Hasil karakterisasi FTIR menunjukkan adanya ikatan Si–C pada bilangan gelombang  786,89 – 941,19 cm-1. SiC yang diperoleh pada semua sampel memiliki struktur kubik (β-phase) atau dapat disebut β–SiC dengan karakteristik dhkl (111) dan parameter kisi pada kisaran 0,43 nm berdasarkan analisa menggunakan XRD. Penambahan 1 g Mg menghasilkan SiC yang terbaik dengan puncak intensitas difraksi 54 a.u pada sudut 36,04 . Semakin tinggi penambahan Mg pada proses sintesis menyebabkan penurunan intensitas, derajat kristalinitas, dan memperbesar ukuran kristal β–SiC. β–SiC yang disintesis dari sekam padi dengan temperatur rendah ini dapat diaplikasikan sebagai material keramik. Namun, diperlukan karakterisasi lebih lanjut menggunakan thermogravimetrical analysis (TGA) untuk mengetahui titik leleh serbuk SiC.